سامسونگ تولید انبوه تراشه با لیتوگرافی سه‌نانومتری را از سال آینده شروع می‌کند

سامسونگ پس از شرکت TSMC دومین شرکت مستقل بزرگ دنیا در زمینه تولید تراشه و قطعات نیمه‌رسانا شناخته می‌شود. این شرکت دو سال پیش برنامه‌اش را برای تولید انبوه تراشه‌ها و استفاده از فناوری‌های نوین در زمینه لیتوگرافی یا فرایند تولید رسانه‌ای کرده بود. با‌این‌حال، به‌نظر می‌رسد تغییراتی در برنامه‌های شرکت کره‌ای ایجاد شده است.

طبق نقشه راهی که سامسونگ در سال ۲۰۲۱ منتشر کرد، انتظار می‌رود برای تولید مدل‌های اولیه تراشه‌ها با لیتوگرافی سه‌نانومتری از فناوری 3GAE استفاده شود. باوجوداین‌ به‌گزارش PhoneArena، سامسونگ تغییری در برنامه‌هایش ایجاد کرده است و قصد دارد تأخیری یک‌ساله در تولید تراشه‌ها با فناوری 3GAE اعمال کند.

تولید تراشه با فناوری 3GAE از نقشه راه سامسونگ نیز حذف شده است که برنامه‌های سامسونگ برای تولید تراشه را شامل می‌شود. چنین اقدامی به‌احتمال بسیار کم بدین‌معنی خواهد بود که سامسونگ از این فناوری فقط برای تولید تراشه‌هایش، یعنی سری اگزینوس، استفاده خواهد کرد و سفارش شرکت‌های دیگر را نخواهد پذیرفت.

دراین‌میان‌، یکی از مقام‌های سامسونگ دربراه فناوری 3GAE گفته است که این شرکت در حال مذاکره با مشتریانش است تا تولید انبوه تراشه‌ها با استفاده از فناوری 3GAE از سال ۲۰۲۲ شروع شود. درحالی‌که فناوری 3GAE از نقشه راه سامسونگ حذف شده است، مدل نسل بعدی آن، یعنی 3GAP، همچنان در نقشه راه شرکت کره‌ای حضور دارد و زمان استفاده از آن نیز برای سال ۲۰۲۳ در نظر گرفته شده است.

همان‌طورکه اشاره کردیم، سامسونگ نقشه راه خود برای تولید تراشه‌های سه‌نانومتری و مدل‌های دیگر را در اوایل سال ۲۰۲۱ ارائه کرد. پس از معرفی نقشه راه سامسونگ نیز نمونه‌ای از آن در شبکه‌های اجتماعی ویبو و بایدو قرار گرفت تا برنامه‌های شرکت کره‌ای با بازتاب گسترده‌ای در فضای مجازی همراه شوند.

نقشه راه سامسونگ فقط به تراشه‌هایی با فناوری‌های مدرن 3GAE و 3GAP اشاره نمی‌کند؛ بلکه درباره آینده تراشه‌های مبتنی‌بر معماری قدیمی‌تر فین‌فت نیز توضیحاتی را ارائه می‌دهد. این غول فناوری کره‌ای می‌خواهد تراشه‌های مبتنی‌بر معماری فین‌فت را در سال ۲۰۲۱ همراه با فناوری 4LPP و در سال ۲۰۲۲ با فناوری 5LPP بسازد. گفتنی است همراه با تراشه‌های مجهز به فناوری 5LPP نیز در سال ۲۰۲۲ تراشه‌های سه‌نانومتری با فناوری 3GAE معرفی می‌شوند تا به‌مرور‌زمان معماری فین‌فت کنار گذاشته شود.

فرایند تولید ۳ نانومتری سامسونگ

سامسونگ فناوری‌های تولید 3GAE و 3GAP را در سال ۲۰۱۹ معرفی کرد. معماری جدید سامسونگ قرار است درمقایسه‌با تراشه‌های تولیدشده با فناوری 7LPP تقریبا ۳۵ درصد بهتر عمل کند و میزان مصرف انرژی نیز تا ۵۰ درصد کاهش یابد. سال ۲۰۱۹، گفته شد تولید تراشه‌ها با فناوری 3GAA در اواخر سال ۲۰۲۱ و تولید تراشه‌ها با فناوری 3GAE در سال ۲۰۲۲ آغاز می‌شود.

مقاله‌های مرتبط:

با‌این‌حال، گزارش‌های منتشرشده نشان می‌دهد سامسونگ در تولید تراشه به مشکلاتی برخورد کرده که مجبور شده است در زمان نقشه راهش تغییراتی را ایجاد کند. در توضیحی کوتاه درباره اصطلاحات به‌کار‌گرفته‌شده باید گفت معماری فین‌فت در سال‌های گذشته پاسخ‌گوی نیازهای سازندگان تراشه بوده است؛ اما با کوچک‌ترشدن گره‌ها و نیاز به تولید تراشه با لیتوگرافی چهار یا کوچک‌تر معماری فین‌فت نتوانست عملکرد دلخواه سازندگان را ارائه دهد.

درواقع، معماری فین‌فت با کوچک‌ترشدن گره‌ها به مشکلاتی ازجمله اثرهای الکترواستاتیک دچار شد. در‌این‌بین، سازندگان تراشه روش GAA یا Gate All Around را با استفاده از نانوسیم‌ها ارائه دادند. با اینکه روش GAA اثربخش بود، ترکیب آن با سیلیکون با مشکلات بسیاری همراه است؛ درنتیجه، سامسونگ روش MBCFET را ارائه داد که به‌معنی ترانزیستور اثر میدان با چند پل است.

حال، سامسونگ می‌خواهد با استفاده از معماری MBCFET تراشه‌هایی با لیتوگرافی سه‌نانومتری بسازد و به‌نظر می‌رسد با اینکه امکان تأخیر در این روند وجود دارد، شرکت کره‌ای به نتیجه دلخواهش خواهد رسید.

نمایش بیشتر

دیدگاهتان را بنویسید

همچنین ببینید
بستن
دکمه بازگشت به بالا